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繞開EUV光刻機造5nm芯片,日本納米壓印機,要全面出貨了
2024/02/07

眾所周知,目前的芯片制造技術,基本上都是基于光刻技術。而光刻技術,需要光刻機,光刻機又與制程對應,比如KrF、ArF、ArFi、EUV等等。

所以光刻機,是所有芯片設備中,最關鍵的設備之一。而目前光刻機技術,基本上被ASML壟斷,特別是高端EUV,ASML壟斷100%市場,ArFi光刻機,ASML壟斷98%的市場。

同時ASML又聽美國的控制,于是乎,美國+ASML,利用光刻機,遏制住了全球芯片制造企業的喉嚨。

在這樣的情況之下,全球其它眾多的半導體設備廠商,都想繞過ASML,繞過EUV光刻機,尋找一條新的道路。

比如俄羅斯發展X射線光刻機,日本發展納米壓印技術,歐洲發展DSA自生成技術,都想繞開光刻機,特別是EUV光刻機這條路線,不用EUV光刻機,也能制造5nm甚至以下制程的芯片。

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而日本的佳能,在2023年終于成功了,成功量產出了一台可以制造5nm芯片的納米壓印設備,利用這種設備,可以制造5nm芯片。

與EUV光刻機不一樣,納米壓印的原理完全不一樣,它 就像蓋章一樣,第一步先雕刻一個圖章出來,下一步拿這個圖章,直接印到硅晶圓上,就形成了電路圖。

同時,這種 納米壓印光刻機,其售價只有EUV光刻機的10%左右,耗電量也只有EUV 技術的10%。

甚至利用納米壓印機來制造5nm芯片, 設備投資成本降低至原有EUV設備的40%左右,相當于減少一半。

佳能近日表示稱,其已經量產的設備 FPA-1200NZ2C將會在2024年出貨,能夠用于5nm芯片生產,到時候制造5nm芯片,就不再需要EUV光刻機了。

不過,這樣的納米印壓設備,不能出口中國,佳能之前已經明確了這一點,說日本政府規定,制程在40nm以下的這種設備,出口到中國,就有限制,需要許可證。

另外,大家也要注意的是,納米印壓和EUV光刻是兩種路線,很多的設備并不能通用,再加上納米壓印的效率,比EUV光刻機低很多。所以就算佳能有這技術,真正買的廠商,估計也不會多,畢竟EUV技術成熟穩定,效率高,納米壓印還不清楚。

事實上,如果沒有限制,最有希望購買的是中國晶圓廠,畢竟EUV買不到,但如今中國企業無法買,佳能的客戶只怕不多。

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